Sobre o Projeto

Visando o desenvolvimento de um biosensor, fabricou-se um transistor do tipo HEMT ("High Electron Mobility Transistor") em uma heterojunção de dopagem modulada em GaAs-AlGaAs. Este trabalho tem como objetivo a caracterização elétrica do transistor fabricado. A operação do dispositivo foi caracterizada levantando-se sua resposta em diferentes freqüências, a magnitude das correntes de fuga e a dependência da corrente fonte-dreno com a tensão aplicada na porta. Com a aplicação de sinais AC na porta, verificou-se a modulação da corrente fonte-dreno e demonstrou-se a amplificação de sinais. Com essas medidas foram obtidas a transcondutância e a capacitância da porta. Verificou-se também que as características dos dispositivos fabricados são altamente reprodutíveis. Os resultados obtidos foram comparados com os de um transistor comercial (JFET BF245), que apresenta tecnologia diferente do dispositivo produzido. A realização das medidas AC exigiu uma redução do nível de ruídos no circuito. Todas as medidas elétricas foram feitas em ambiente LabVIEW (National Instruments). Esse software faz o controle automático dos instrumentos de medida, permite a visualização das curvas em tempo real e faz a gravação dos dados para análise posterior. Para se comparar os parâmetros de operação obtidos experimentalmente com os previstos pelos modelos teóricos, é ainda necessário determinar-se a mobilidade e a concentração de elétrons na heterojunção utilizada